型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: 双极性晶体管描述: A类， AB类微波功率型硅NPN晶体管0.7 W， 960至1215兆赫， 18V Class A, Class AB Microwave Power Silicon NPN Transistor 0.7 W, 960-1215 MHz, 18V11431+￥417.485710+￥406.594750+￥398.2450100+￥395.3408200+￥393.1626500+￥390.25831000+￥388.44322000+￥386.6280 -
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品类: 双极性晶体管描述: 雷达脉冲功率晶体管， 5W ，2ms的脉冲， 10 ％占空比3.1-3.5 GHz的 Radar Pulsed Power Transistor,5W,2ms Pulse, 10% Duty 3.1-3.5 GHz38501+￥3010.605410+￥2983.236325+￥2969.551750+￥2955.8671100+￥2942.1826150+￥2928.4980250+￥2914.8134500+￥2901.1288 -
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品类: 双极性晶体管描述: 雷达脉冲功率晶体管， 9W ， 300US脉冲， 10 ％占空比3.1 - 3.4 GHz的 Radar Pulsed Power Transistor, 9W, 300us Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz99071+￥1804.553310+￥1788.148325+￥1779.945850+￥1771.7432100+￥1763.5407150+￥1755.3382250+￥1747.1357500+￥1738.9332 -
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品类: 双极性晶体管描述: RF Small Signal Bipolar Transistor, 1Element, S Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-222681+￥2765.182210+￥2740.044225+￥2727.475250+￥2714.9062100+￥2702.3372150+￥2689.7681250+￥2677.1991500+￥2664.6301 -
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品类: 双极性晶体管描述: 雷达脉冲功率晶体管55W ， 3.1-3.4千兆赫， 300μS脉冲， 10 ％占空比 Radar Pulsed Power Transistor 55W, 3.1-3.4 GHz, 300μs Pulse, 10% Duty85251+￥341.928410+￥333.008550+￥326.1699100+￥323.7913200+￥322.0073500+￥319.62871000+￥318.14202000+￥316.6554 -
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品类: 双极性晶体管描述: 射频线控制的“ Q”宽带功率晶体管100W ， 30到500MHz ， 28V The RF Line Controlled “Q” Broadband Power Transistor 100W, 30 to 500MHz, 28V38261+￥1269.874110+￥1258.329825+￥1252.557650+￥1246.7855100+￥1241.0133150+￥1235.2412250+￥1229.4690500+￥1223.6969 -
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品类: 双极性晶体管描述: 微波脉冲功率型硅NPN晶体管150W （峰值） ， 1025-1150MHz Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor 150W (peak), 1025-1150MHz58371+￥3707.049510+￥3673.349125+￥3656.498850+￥3639.6486100+￥3622.7984150+￥3605.9482250+￥3589.0979500+￥3572.2477
